Рухливість носіїв заряду

Рухливість носіїв заряду або мобільність носіїв заряду — кількісна характеристика носія заряду, яка визначає його вклад у провідність.

Позначається здебільшого літерою μ, вимірюється в системі SI у м²/B · c. На практиці, проте, частіше використовується одинця см²/B·c. ^[1]

Носії заряду є вільними частками й рухаються у зовнішньому електричному полі. На заваді цьому рухові стають зіткнення із дефектами, зміщеними зі своїх положень атомами кристалічної ґратки тощо. В результаті такого руху носії заряду набувають певної середньої швидкості, яка пропорційна напруженості електричного поля. Ця швидкість називається дрейфовою швидкістю.

Коефіцієнт пропорційності між дрейфовою швидкістю й напруженістю електричного поля називається рухливістю:

${\displaystyle \langle v\rangle =\mu E}$,

де: ${\displaystyle \langle v\rangle }$ — дрейфова швидкість, μ — рухливість, E — напруженість електричного поля.

Рухливість є характеристикою носія заряду в даному середовищі. Наприклад, рухливість електронів у кремнії, чи рухливість дірок в арсеніді галію.

• Співвідношення Ейнштейна

• Фреїк, Д. М.; Чобанюк, В. М.; Готра, З. Ю. (2010). Фізика процесів у напівпровідниках та елементах електроніки (укр.). Івано-Франківськ: Видавництво Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника. с. 28—31. ISBN 978-966-640-275-5.

• Савчин, В. П.; Шувар, Р. Я. (2008). Електронне перенесення в напівпровідниках та напівпровідникових структурах (укр.). Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. с. 688. ISBN 978-966-613-569-1.

• Попик, Ю. В. (2014). Фізика напівпровідників (укр.). Ужгород: ІВА. с. 818. ISBN 978-617-501-089-1.